具有微孔结构的 Cd$_{43}$Te$_{28}$ 半导体材料的拓扑成键与电子性质
材料科学
2023-06-28 v8
摘要
CdTe 是具有优异特性的 II-VI 半导体材料，已在光伏领域展现出应用潜力。基于密度泛函理论，研究了具有微孔结构的 Cd43Te28 的电子性质。采用新建立的结合能与键电荷模型，将哈密顿量的值转换为成键值。我们提供了一种通过原子坐标和波相位描述拓扑化学键的方法。我们还讨论了波函数随时间的动力学过程以及魔方矩阵。本研究为精确分析微孔半导体材料的拓扑成键与电子性质提供了创新的方法与技术。
引用
@article{arxiv.2211.14697,
title = {Topological Bonding and Electronic properties of Cd$_{43}$Te$_{28}$ semiconductor material with microporous structure},
author = {Yixin Li and Wei Xiong and Lei Li and Zhuoming Zhou and Chuang Yao and Zhongkai Huang and Maolin Bo},
journal= {arXiv preprint arXiv:2211.14697},
year = {2023}
}