采用新方法——脉冲等离子体沉积——制备的 CdTe 层的性质
材料科学
2011-03-24 v1
摘要
在追求实现电网平价的进程中，CdTe 和 CdS 正成为薄膜光伏领域最有前景的材料。推进电网平价的主要挑战在于在实现高质量的同时降低制造成本。本文报告了采用新沉积技术——脉冲等离子体沉积——在 CdS/ZnO/石英和石英衬底上生长 CdTe 层的结果。PPD 方法允许在低温下进行沉积。沉积层的光学带隙为 1.50 eV，与文献报道的 CdTe 立方晶相的值完全一致。薄膜高度结晶，以立方相为主，晶粒取向随机，且表面粗糙度极低，为 4.6±0.7 nm r.m.s.。与传统热沉积方法（近空间升华和气相传输）相比，低粗糙度允许减少活性吸收层和 n 型半导体层，从而大幅减少材料使用量以及相关的沉积问题，如安全性、沉积速率，并最终降低成本。
引用
@article{arxiv.1103.4539,
title = {Properties of CdTe layers deposited by a novel method -Pulsed Plasma Deposition},
author = {C. Ancora and P. Nozar and G. Mittica and F. Prescimone and A. Neri and S. Contaldi and S. Milita and C. Albonetti and F. Corticelli and A. Brillante and I. Bilotti and G. Tedeschi and C. Taliani},
journal= {arXiv preprint arXiv:1103.4539},
year = {2011}
}
备注
Evaluation of the review "Solar Energy Materials and Solar Cells" is in progress