Cd(Zn)O/SiC：近零介电常数模式与等离激元-声子耦合
光学
2026-03-30 v1
摘要
Cd(Zn)O可能是中红外波段最好的等离激元材料，但它通常生长在蓝宝石或其他被动衬底上。在这项工作中，我们引入SiC作为Cd(Zn)O的一种新型、高极性、可掺杂的衬底。Cd(Zn)O/SiC系统作为Zn浓度和薄膜厚度的函数进行分析，结果与Cd(Zn)O/蓝宝石系统的结果进行比较。XRD和反射率测量表明，名义Zn浓度为10%的合金具有最佳的晶体学和等离激元质量，光学损耗仅为等离子体频率的13%。薄膜表现出两种表面极化激元模式：一种是较高能量的纯等离激元对称模式，频率色散可忽略不计，对于最薄的薄膜在等离子体频率处钉扎，这是理想近零介电常数模式的特征；另一种是较低能量的等离激元-声子杂化反对称模式，由于SiC相比蓝宝石具有更高的介电常数，表现出更低的频率色散，表明其更强的近零介电常数特性。因此，Cd(Zn)O/SiC为在活性衬底上开发近零介电常数器件提供了一个有前景的平台。
引用
@article{arxiv.2603.26457,
title = {Cd(Zn)O on SiC: epsilon-near-zero modes and plasmon-phonon coupling},
author = {Maria Villanueva-Blanco and Javier Yeste and Julia Ingles-Cerrillo and Pablo Ibañez-Romero and Carmen Martínez-Tomas and Vicente Muñoz-Sanjosé and Miguel Montes Bajo and Adrian Hierro},
journal= {arXiv preprint arXiv:2603.26457},
year = {2026}
}
备注
Supporting Information is included within the document