基于新型键级势的 CdTe 晶体位错分子动力学研究
材料科学
2012-08-28 v1
摘要
Cd1-xZnxTe (CZT) 晶体是辐射探测领域的领先半导体材料，但其应用受限于探测器级材料的高成本。高昂的晶体成本主要源于材料性质的不均匀性，这导致了较低的制造良率。尽管过去为减少 CZT 中的 Te 包裹体/析出物付出了巨大努力，但并未带来预期的材料性质均匀性改善。此外，人们认识到，除了 Te 颗粒外，位错胞也会引起电场扰动及相关的性质不均匀性。因此，要进一步改善材料，必须理解并控制 CZT 晶体中的位错。在此，我们利用最近开发的 CZT 键级势进行代表性的分子动力学模拟，研究了 CdTe（即 x = 1）晶体中 29 种可能位错的构型、能量和迁移率。我们将探索一种推导热激活位错运动的激活自由能和激活体积的有效方法。我们的研究重点有助于理解材料中的重要位错，并为改善 CZT 晶体中位错网络结构的实验工作提供指导。
引用
@article{arxiv.1208.5078,
title = {Molecular Dynamics Studies of Dislocations in CdTe Crystals from a New Bond Order Potential},
author = {X. W. Zhou and D. K. Ward and B. M. Wong and F. P. Doty and J. A. Zimmermana},
journal= {arXiv preprint arXiv:1208.5078},
year = {2012}
}