双 SOI 器件中的 TID 效应补偿与传感器-电路串扰抑制
仪器与探测器
2015-07-28 v1
摘要
我们正在开发双绝缘体上硅 (DSOI) 像素传感器，用于高能实验等各种应用。DSOI 器件的性能已得到评估，包括使用测试元件组 (TEG) 评估高达 2 MGy 的晶体管总电离损伤 (TID) 效应补偿，以及高达 100 kGy 的积分型传感器的 TID 效应补偿。本文展示了在 DSOI 应用于计数型传感器时，像素 ASD 读出电路在高达 100 kGy 下成功的 TID 补偿。DSOI 中的串扰抑制也正在评估中。这些结果鼓舞了我们，表明 DSOI 传感器适用于未来的高能实验，如 BELLE-II 实验或 ILC 实验。
引用
@article{arxiv.1507.07035,
title = {TID-Effect Compensation and Sensor-Circuit Cross-Talk Suppression in Double-SOI Devices},
author = {Shunsuke Honda and Kazuhiko Hara and Daisuke Sekigawa and Bipin Subedi and Mari Asano and Naoshi Tobita and Wataru Aoyagi and Yasuo Arai and Akimasa Ishikawa and Yoshimasa Ono and Itaru Ushiki and SOI Collaboration},
journal= {arXiv preprint arXiv:1507.07035},
year = {2015}
}
备注
Proceedings of International Workshop on SOI Pixel Detector (SOIPIX2015), Tohoku University, Sendai, Japan, 3-6, June, 2015. C15-06-03