微波复用硬 X 射线过渡边缘传感器阵列中热与电串扰的特征

我们研究了在阿贡国家实验室先进光子源制造的 24 像素硬 X 射线原型阵列中过渡边缘传感器（TES）像素间的串扰。分析显示了热串扰（可能与热化不足有关）以及特定加害-受害像素组合间罕见但幅度较大的电串扰（可能由于偏置布线或微波复用电路的缺陷）。我们采用基于群触发与平均的方法，在仅能获得整个阵列均匀 X 射线光子照射的情况下隔离串扰响应。这使我们能在重复测量中识别像素对间的热串扰与电串扰，达到 1/1000 或更好的水平。在所研究的阵列中，观测到的串扰幅度很小，但与该像素设计的分辨能力（在 20 keV 处 E/$\Delta$E $\sim$ 1000）相当，因此可能导致阵列在高入射光子率下能量分辨率的退化。在证明了识别和量化本装置中串扰的方法后，我们可以考虑缓解措施。