国产SiGe HBT在不同剂量率下的总电离剂量效应
仪器与探测器
2019-04-02 v2
摘要
采用Co-60伽马辐照源，分别在800mGy(Si)/s和1.3mGy(Si)/s的剂量率下，研究了国产商用NPN硅锗异质结双极晶体管(SiGe HBTs)的总电离辐射(TID)响应。考察了辐照前后晶体管的Gummel特性、过剩基极电流等参数的变化。实验结果表明，对于KT1151，延长退火后不同剂量率下的辐射损伤略有差异，表现出时间相关效应(TDE)。而对于KT9041，低剂量率辐照导致的退化比高剂量率更为严重，表明KT9041存在潜在的增强型低剂量率敏感(ELDRS)效应。讨论了伽马射线引起的不同剂量率响应的潜在物理机制。
引用
@article{arxiv.1504.00758,
title = {Total ionizing dose effects of domestic SiGe HBTs under different dose rate},
author = {Liu Mo-Han and Lu Wu and Ma Wu-Ying and Wang Xin and Guo Qi and He Cheng-Fa and Jiang Ke and Li Xiao-Long and Xiong Ming-Zhu},
journal= {arXiv preprint arXiv:1504.00758},
year = {2019}
}