总电离剂量对 1T-二硫化钽电荷密度波器件阈值开关效应的影响
应用物理
2019-03-18 v1 介观与纳米尺度物理
摘要
1T 多晶型 TaS2 由于从近公度到非公度电荷密度波态的相变而表现出电压触发的阈值开关。阈值开关在室温以上持续存在，可用于多种电子器件，例如压控振荡器。我们评估了薄膜 1T-TaS2 在高达 1 Mrad(SiO2) 剂量下的总电离剂量响应。阈值电压在辐照后变化小于 2%，并在整个辐照过程中观察到持续的自激振荡。辐射硬度归因于导致阈值开关的两种相中 1T-TaS2 的高本征载流子浓度。这些结果表明，采用 1T-TaS2 薄膜实现的电荷密度波器件在高辐射环境应用中具有前景。
引用
@article{arxiv.1712.01354,
title = {Total Ionizing Dose Effects on Threshold Switching in 1T-Tantalum Disulfide Charge-Density-Wave Devices},
author = {G. Liu and E. X. Zhang and C. D. Liang and M. A. Bloodgood and T. T. Salguero and D. M. Fleetwood and A. A. Balandin},
journal= {arXiv preprint arXiv:1712.01354},
year = {2019}
}
备注
4 pages; 4 figures