65nm CMOS晶体管的辐射耐受性
仪器与探测器
2016-01-20 v4 高能物理 - 实验
摘要
我们报告了电离辐射对在约-20°C条件下进行辐照的65nm CMOS晶体管的影响。在总剂量为1 Grad后观察到的损伤模式与室温辐照下报告的损伤模式相似，但我们观察到的损伤程度低于室温条件下的损伤。
引用
@article{arxiv.1501.05966,
title = {Radiation Tolerance of 65nm CMOS Transistors},
author = {M. Krohn and B. Bentele and J. P. Cumalat and S. R. Wagner and D. C. Christian and G. Deptuch and F. Fahim and J. Hoff and A. Shenai},
journal= {arXiv preprint arXiv:1501.05966},
year = {2016}
}