辐射前后 BTeV 硅像素传感器的表征
高能物理 - 实验
2008-11-26 v1
摘要
我们报告了在印第安纳大学循环设施对硅像素传感器原型暴露于 200 MeV 质子束后所进行的测量。这些传感器为 n+/n/p+ 类型，p+ 侧具有多环护卫结构，n+ 侧具有 p-stop 电极隔离。对该设备的电气表征在辐射前后进行，辐射剂量为 4E14 p/cm²。我们测试了由普通硅和氧化硅制造的像素传感器，以及两种不同的 p-stop 隔离布局：common p-stop 和 individual p-stop。
引用
@article{arxiv.hep-ex/0204010,
title = {Characterization of Prototype BTeV Silicon Pixel Sensors Before and After Irradiation},
author = {Maria R. Coluccia and J. A. Appel and G. Chiodini and D. C. Christian and S. Kwan},
journal= {arXiv preprint arXiv:hep-ex/0204010},
year = {2008}
}
备注
8 pages in postscript format. Presented at 2001 IEEE Nuclear Science Symposium 4-10 November 2001 San Diego, California