硅脱离器的电容
高能物理 - 实验
2008-11-26 v1
摘要
对硅像素传感器进行了电容测量，包括 n+ on n、p+ on n、n+ on p 三种类型。该阵列测试了各种掺浆和间隙宽度，n+ on n 器件测试了几种 p-stop 设计。测量考察了器件间隙和背面贡献，并包括温度依赖性的研究。在与 LHC 实验和费米纳塔跑 2 相关的辐射 fluences 下，进行了前后测量。
引用
@article{arxiv.hep-ex/0003032,
title = {Capacitance of Silicon Pixels},
author = {Grant Gorfine and Martin Hoeferkamp and Geno Santistevan and Sally Seidel},
journal= {arXiv preprint arXiv:hep-ex/0003032},
year = {2008}
}
备注
28 pages including 22 figures