用于电离辐射成像的高像素化直接电荷传感器 Topmetal-I 的开发
仪器与探测器
2014-07-15 v1 高能物理 - 实验
核实验
医学物理
摘要
利用工业标准的 0.35{\mu}m CMOS 集成电路工艺，我们实现了一种高像素化传感器，该传感器通过放置在每个像素顶部的金属节点直接收集电荷，并形成电荷云分布的二维图像。第一版 Topmetal-I 具有 64x64 像素阵列，节距尺寸为 80{\mu}m。直接电荷校准显示每个像素的平均电容为 210fF。电荷收集噪声接近热噪声极限。在读出方面，单个像素通道表现出最概然等效噪声电荷为 330e-。
引用
@article{arxiv.1407.3712,
title = {Development of a highly pixelated direct charge sensor, Topmetal-I, for ionizing radiation imaging},
author = {Yan Fan and Chaosong Gao and Guangming Huang and Xiaoting Li and Yuan Mei and Hua Pei and Quan Sun and Xiangming Sun and Dong Wang and Zhen Wang and Le Xiao and Ping Yang},
journal= {arXiv preprint arXiv:1407.3712},
year = {2014}
}
备注
Submitted to Nuclear Instruments and Methods in Physics Research A