用于 LHC 的辐照硅像素探测器的双结模型
仪器与探测器
2014-11-18 v1 高能物理 - 实验
摘要
在本文中，我们讨论了辐照硅像素探测器中电荷收集的测量以及与详细模拟的比较。该模拟通过包含两个具有相反电荷态的缺陷能级和电荷载流子俘获来实现辐射损伤模型。该模型证明，由两个缺陷能级产生的双峰电场是描述数据所必需的，并排除了基于均匀分布在探测器体内部的受主缺陷的描述。此外，通过比较多个注量和偏压下的测量和模拟分布，确定了陷阱浓度对注量的依赖性。
引用
@article{arxiv.physics/0506228,
title = {A double junction model of irradiated silicon pixel sensors for LHC},
author = {V. Chiochia and M. Swartz and Y. Allkofer and D. Bortoletto and L. Cremaldi and S. Cucciarelli and A. Dorokhov and C. Hoermann and D. Kim and M. Konecki and D. Kotlinski and K. Prokofiev and C. Regenfus and T. Rohe and D. A. Sanders and S. Son and M. Swartz and T. Speer},
journal= {arXiv preprint arXiv:physics/0506228},
year = {2014}
}
备注
Talk presented at the 10th European Symposium on Semiconductor Detectors, June 12-16 2005, Wildbad Kreuth, Germany. 9 pages, 4 figures