ATLAS探测器中像素传感器的辐射损伤建模

ATLAS Collaboration

doi:10.1088/1748-0221/14/06/P06012

ATLAS探测器中像素传感器的辐射损伤建模

仪器与探测器 2019-07-02 v2 高能物理 - 实验

作者: ATLAS Collaboration

在 arXiv 上查看 ↗ PDF ↗ DOI ↗

摘要

硅像素探测器是当前及计划中的 LHC 上 ATLAS 实验升级的核心。鉴于其紧邻相互作用点，这些探测器在其寿命期内将暴露于前所未有的辐射量下。当前像素探测器将受到超过 $10^{15}$ 1 MeV ${n}_{eq}/{cm}^2$ 的非电离辐射损伤，而为高亮度 LHC 设计的像素探测器必须应对大一个数量级的注量。本文提出一个包含像素传感器辐射损伤效应的数字化模型。该模型被详细描述，并且对电荷收集效率和洛伦兹角的预测与 2015 至 2017 年间收集的碰撞数据（ $\leq 10^{15}$ 1 MeV ${n}_{eq}/{cm}^2$ ）进行了比较。

关键词

硅像素探测器 ATLAS LHC 辐射损伤数字化模型电荷收集效率

引用

@article{arxiv.1905.03739,
  title  = {Modelling radiation damage to pixel sensors in the ATLAS detector},
  author = {ATLAS Collaboration},
  journal= {arXiv preprint arXiv:1905.03739},
  year   = {2019}
}

备注

57 pages in total, author list starting page 41, 22 figures, 7 tables, published in Journal of Instrumentation. All figures including auxiliary figures are available at http://atlas.web.cern.ch/Atlas/GROUPS/PHYSICS/PAPERS/IDET-2017-10

ATLAS探测器中像素传感器的辐射损伤建模

摘要

关键词

引用

备注

相关论文