ATLAS探测器中像素传感器的辐射损伤建模

Benjamin Nachman

ATLAS探测器中像素传感器的辐射损伤建模

仪器与探测器 2019-08-13 v1 高能物理 - 实验

作者: Benjamin Nachman

摘要

硅像素探测器是当前ATLAS探测器及其计划升级的核心。作为最靠近相互作用点的探测器，它们将暴露于大量辐射：在HL-LHC之前，最内层将接受超过 $10^{15}$ 1 MeV $n_\mathrm{eq}/\mathrm{cm}^2$ 的通量，而HL-LHC探测器升级必须应对其寿命期内积分通量高一个数量级的情况。本报告提出了一种首次包含对ATLAS像素传感器辐射损伤效应的数字化模型。在详细描述设置后，给出了基本像素簇属性的预测以及使用Run 2碰撞数据的初步验证研究。

关键词

硅像素传感器辐射损伤 ATLAS探测器 HL-LHC 数字化模型像素簇碰撞数据

引用

@article{arxiv.1710.03916,
  title  = {Modeling Radiation Damage to Pixel Sensors in the ATLAS Detector},
  author = {Benjamin Nachman},
  journal= {arXiv preprint arXiv:1710.03916},
  year   = {2019}
}

备注

12 pages, 13 figures; Talk presented at the APS Division of Particles and Fields Meeting (DPF 2017), July 31-August 4, 2017, Fermilab. C170731

ATLAS探测器中像素传感器的辐射损伤建模

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关键词

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