3D 像素在 ATLAS IBL 检测器中的传感器响应与辐射损伤效应
仪器与探测器
2024-12-18 v2 高能物理 - 实验
摘要
3D 技术的像素传感器装配在 ATLAS 可插入层 (IBL) 的树脂板端部，IBL 是 ATLAS 像素探测器中最内层的一层，该层于 2015 年在 LHC Run 2 开始前安装。预计 3D 像素传感器对辐射损伤更具抗性，因而是 ATLAS 跟踪器升级中用于 HL-LHC 计划的最内层技术首选。尽管 LHC 自 Run 2 开始以来已提供约为 235 fb 的累计积分，但 3D 传感器接收的非离子化能量沉积对应于平均约为 1 MeV 中子等效 cm 的 fluence。本文 presenting 测量结果，涵盖 Run 2 期间以及 Run 3 前两年的 3D 像素传感器响应，并预测其至 2025 年 Run 3 结束时的演化。数据与基于 1D Si 基片中电场细致图的辐射损伤模拟进行比较，模拟在各种 fluence 水平和偏置电压值下进行。这些结果阐明了 3D 技术在高辐射环境中用于像素应用的潜力。
引用
@article{arxiv.2407.05716,
title = {Sensor response and radiation damage effects for 3D pixels in the ATLAS IBL Detector},
author = {ATLAS Collaboration},
journal= {arXiv preprint arXiv:2407.05716},
year = {2024}
}
备注
42 pages in total, author list starting page 25, 15 figures, 1 table, published by JINST