ATLAS IBL用三维硅传感器的经验
仪器与探测器
2015-05-20 v2
摘要
三维硅传感器利用等离子体微加工技术在硅基底上蚀刻深而窄的狭缝以形成PIN结的电极，代表了高能物理实验中跟踪探测器内像素层的一种可能解决方案。这类传感器是为可插入B层(IBL)开发的，IBL是在CERN的LHC对撞机当前停机期间安装在ATLAS中的额外像素层。本文介绍了用于为IBL部分配备的传感器和探测器模块在设计、测试和鉴定方面的经验。基于在ATLAS IBL三维硅传感器方面获得的经验，我们讨论了在高光度LHC(HL-LHC)升级ATLAS和CMS的可能新方案。
引用
@article{arxiv.1411.6937,
title = {Experience on 3D Silicon Sensors for ATLAS IBL},
author = {Giovanni Darbo},
journal= {arXiv preprint arXiv:1411.6937},
year = {2015}
}
备注
9 pages, 7 figures, conference proceedings for International Workshop on Semiconductor Pixel Detectors for Particles and Imaging (PIXEL2014), will be published on JINST