用于 ATLAS 内探测器升级的 150 nm HR-CMOS 技术原型有源硅传感器
仪器与探测器
2016-03-23 v1 高能物理 - 实验
摘要
LHC 二期升级将导致亮度显著增加，进而给内径迹探测器的运行带来新挑战。一种可能的解决方案是利用商用 CMOS 技术的优势使用有源硅传感器。目前 ATLAS 研发计划正在从适用于该任务的方面评估几种商用技术。本文讨论采用其中一种技术（LFoundry 150 nm 工艺）设计的原型。将描述芯片架构，包括设计中采用的不同像素类型，随后给出仿真与测量结果。
引用
@article{arxiv.1601.00459,
title = {Prototype Active Silicon Sensor in 150 nm HR-CMOS Technology for ATLAS Inner Detector Upgrade},
author = {Piotr Rymaszewski and Marlon Barbero and Patrick Breugnon and Stépahnie Godiot and Laura Gonella and Tomasz Hemperek and Toko Hirono and Fabian Hügging and Hans Krüger and Jian Liu and Patrick Pangaud and Ivan Peric and Alexandre Rozanov and Anqing Wang and Norbert Wermes},
journal= {arXiv preprint arXiv:1601.00459},
year = {2016}
}
备注
9 pages, 9 figures, TWEPP 2015 Conference, submitted to JINST