石墨炔 - 金属接触与石墨炔晶体管
材料科学
2015-06-22 v1
摘要
石墨炔制备于金属表面，由其制造器件也不可避免地涉及与金属的接触。利用带有色散校正的密度泛函理论，我们首次系统研究了石墨炔与一系列金属（Al、Ag、Cu、Au、Ir、Pt、Ni 和 Pd）接触的界面性质。石墨炔与 Al、Ag 和 Cu 形成 n 型欧姆接触或准欧姆接触，而与 Au（在源/漏界面）、Pd、Pt、Ni 和 Ir（在源/漏 - 沟道界面）形成肖特基接触，其肖特基势垒高度分别为 0.39、0.21（n 型）、0.30、0.41 和 0.45（p 型）eV。通过量子输运计算模拟了具有 Al 电极的石墨炔场效应晶体管（FET）。该器件在 10 nm 沟道长度下表现出高达 104 的开关比和 1.3 * 104 mA/mm 的极大开态电流。因此，为石墨炔在高性能纳米器件中的应用开辟了新的前景。
引用
@article{arxiv.1408.3480,
title = {Graphdiyne-metal contacts and graphdiyne transistors},
author = {Yuanyuan Pan and Yangyang Wang and Lu Wang and Hongxia Zhong and Ruge Quhe and Zeyuan Ni and Meng Ye and Wai-Ning Mei and Junjie Shi and Wanlin Guo and Jinbo Yang and Jing Lu},
journal= {arXiv preprint arXiv:1408.3480},
year = {2015}
}
备注
27 pages, 9 figures