室温下的环氧基石烯烃无传送晶片及其超高空穴迁移率
材料科学
2025-10-14 v1 化学物理
摘要
石烯烃 (GDY) 因其内在的p型半导体特性而被视为制造下一代高速低能耗电子器件的有力候选材料。然而，当前实验研究中报告的载流子迁移率相对较低，限制了其在场效应晶体管 (FETs)、互补金属-氧化-半导体 (CMOS) 以及逻辑器件中的应用发展。本文报道了在超临界CO2气氛下直接生长于硅基板上的层控氢取代石烯烃 (HsGDY) 薄膜的合成方法，并将其制成HsGDY基FETs。无传送的生长策略消除了后处理传送过程导致的性能衰减。结果表明，所得HsGDY FETs在室温下实现最高3800 cm2 V-1 s-1的卫星迁移率，这是目前大多数p型半导体的数量级提升。无传送的HsGDY晶片的合成为解决p型和n型二维金属-氧化-半导体器件之间载流子迁移率失配提供了新的策略。
引用
@article{arxiv.2510.09998,
title = {Ambient-Stable Transfer-Free Graphdiyne Wafers with Superhigh Hole Mobility at Room Temperature},
author = {Beining Ma and Jianyuan Qi and Xinghai Shen},
journal= {arXiv preprint arXiv:2510.09998},
year = {2025}
}