通过离子注入实现SiC(0001)上石墨烯的插层
介观与纳米尺度物理
2016-09-07 v1
摘要
基于石墨烯技术的电子器件正迅速普及，而在纳米尺度上调控石墨烯特性的能力正变得比以往任何时候都不可或缺。在此，我们提出了一种在SiC(0001)上进行石墨烯功能化的新方案，其为制造复杂的石墨烯电子芯片铺平了道路。该方案基于众所周知的离子注入技术。通过用Bi原子对SiC(0001)上的外延石墨烯层进行插层，证明了该工作原理的有效性，而这是遵循标准流程所无法实现的。我们的结果提出了利用离子束光刻对所需石墨烯芯片进行纳米结构化和功能化。
引用
@article{arxiv.1604.00207,
title = {Intercalation of graphene on SiC(0001) via ion-implantation},
author = {A. Stöhr and S. Forti and S. Link and A. A. Zakharov and K. Kern and U. Starke and H. M. Benia},
journal= {arXiv preprint arXiv:1604.00207},
year = {2016}
}