迁移率超过 $2\times10^6$ cm$^{2}$V$^{-1}$s$^{-1}$ 的 AlAs 量子阱中的多谷二维电子系统
介观与纳米尺度物理
2018-08-01 v1
摘要
Si、AlAs、石墨烯和 MoS 等材料中的简并导带极小值（或称“谷”）使它们能够承载可访问谷自由度的二维电子系统（2DESs）。这些多谷 2DESs 为务实和基础研究都提供了令人兴奋的机遇，因为它们不仅是谷电子器件的平台，还提供了调控和研究复杂多体基态性质的工具。在此，我们报道了超高质量的、调制掺杂的 AlAs 量子阱，其中包含占据两个各向异性谷的 2DESs，其电子迁移率在密度 cm 下峰值达到 cmVs。这比先前结果的迁移率提高了一个数量级以上。我们样品前所未有的质量由磁输运数据所证明，这些数据显示了高达朗道能级填充因子 的高阶分数量子霍尔极小值，甚至出现了难以观测的 量子霍尔态。
引用
@article{arxiv.1807.11563,
title = {Multivalley two-dimensional electron system in an AlAs quantum well with mobility exceeding $2\times10^6$ cm$^{2}$V$^{-1}$s$^{-1}$},
author = {Yoon Jang Chung and K. A. Villegas Rosales and H. Deng and K. W. Baldwin and K. W. West and M. Shayegan and L. N. Pfeiffer},
journal= {arXiv preprint arXiv:1807.11563},
year = {2018}
}
备注
6 pages, 4 figures