同位素纯化$^{28}$Si量子阱中的少电子双量子点

Andreas Wild; Johannes Kierig; Jürgen Sailer; Joel Ager; Eugene Haller; Gerhard Abstreiter; Stefan Ludwig; Dominique Bougeard

doi:10.1063/1.3701588

同位素纯化$^{28}$Si量子阱中的少电子双量子点

介观与纳米尺度物理 2012-04-09 v2 材料科学其他凝聚态物理量子物理

作者: Andreas Wild , Johannes Kierig , Jürgen Sailer , Joel Ager , Eugene Haller , Gerhard Abstreiter , Stefan Ludwig , Dominique Bougeard

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摘要

我们展示了一个在同位素纯化 $^{28}$ Si量子阱(QW)中定义的少电子双量子点(QD)器件。在QW中观察到电子迁移率为 $5.5 \cdot 10^4 cm^2(Vs)^{-1}$ ，这是 $^{28}$ Si二维电子系统有报道的最高迁移率。 $^{28}$ Si QW中 $^{29}$ Si核的残余浓度低于 $10^{3} ppm$ ，处于理论上超精细相互作用不再主导限制 $T_{2}$ 自旋退相时间的临界点。我们还展示了使用负偏置全局顶栅完全抑制了迟滞栅极行为和电荷噪声。

关键词

双量子点同位素纯化硅电子迁移率自旋退相超精细相互作用电荷噪声迟滞栅极行为

引用

@article{arxiv.1202.3237,
  title  = {Few electron double quantum dot in an isotopically purified $^{28}$Si quantum well},
  author = {Andreas Wild and Johannes Kierig and Jürgen Sailer and Joel Ager and Eugene Haller and Gerhard Abstreiter and Stefan Ludwig and Dominique Bougeard},
  journal= {arXiv preprint arXiv:1202.3237},
  year   = {2012}
}

备注

4 pages, 3 figures

同位素纯化$^{28}$Si量子阱中的少电子双量子点

摘要

关键词

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