面向单层半导体的超导接触
介观与纳米尺度物理
2021-08-04 v1 超导电性
摘要
我们展示了到二硫化钼（MoS）单层的超导垂直互连通路（VIA）接触，MoS是一种具有高度相关电子与光学性质的层状半导体。作为接触材料，我们使用MoRe，一种具有高临界磁场与高临界温度的超导体。电子输运主要由具有清晰超导体能隙的单一超导体/正常导体结主导。此外，我们发现与超导体强耦合的MoS区域，导致共振Andreev隧穿与依赖于结的能隙特征，暗示超导邻近效应。磁电阻测量表明能带结构与高本征载流子迁移率在MoS体相中保持完好。此类VIA接触适用于多种层状材料与超导接触，为单层半导体作为超导混合器件平台开辟了道路。
引用
@article{arxiv.2102.06227,
title = {Superconducting contacts to a monolayer semiconductor},
author = {M. Ramezani and I. Correa Sampaio and K. Watanabe and T. Taniguchi and C. Schönenberger and A. Baumgartner},
journal= {arXiv preprint arXiv:2102.06227},
year = {2021}
}