二维金属-绝缘体分叉处的两分量标度

我们考虑两种分量标度图景来描述二维（2D）弱无序相互作用电子体系在低温下的电阻率，以便在同一框架内描述分叉的附近以及低电阻金属区。我们对比了单分量和两种分量标度理论的关键特征。我们讨论了为何常规的最低阶重整化群方程在二维中不显示分叉，并提出了一种半经验性的扩展方法，这种方法确实导致了分叉。通过最小二乘拟合实验数据确定了参数，包括乘积 $z\nu$。对硅在分离准线附近的电阻温度和密度依赖性获得了良好的描述。讨论了这种两种分量标度图景对量子临界点的意义。