二维金属-绝缘体转变处的一参数缩放validity与相图

我们探讨二维金属-绝缘体转变(MIT)的缩放描述，涉及硅中电子系统。近MIT时，$\beta_{T}/p = (-1/p)d(\ln g)/d(\ln T)$为普适量($p$为样品相关指数，$g$--电导，$T$--温度)。我们获得特征温度$T_0$和$T_1$，分别标示量子临界区和单参数缩放有效性在金属相中的范围，表明$T_1$随转变的接近而消失。对于$T<T_1$，数据缩放需要第二个参数。此外，所有数据在各向密度下——即便远离转变——都可采用两参数缩放描述。