中文

二维Lifshitz金属-绝缘体转变的普适输运

强关联电子 2025-10-06 v1

摘要

我们研究了二维中能带调谐的金属-绝缘体转变的电荷输运。对于高温TT和远离转变点的化学势μ\mu,传导是弹道式的,电阻R(T)R(T)满足简单的单参数标度关系。在这里,我们探索了这种半经典行为的极限,并研究了其后的量子区域,其中标度被打破。我们推导了具有有限寿命的抛物线能带线性响应电导率σ=1/R\sigma=1/R的最简单费曼图的解析公式。我们的公式与场调谐MoTe2_2/WSe2_2莫尔双层实验显示出极好的一致性,并且能够捕捉导致单参数标度破坏的量子效应。我们接着讨论了模型的一个引人入胜的预测:量子临界能带调谐Lifshitz点(μ=T=0\mu=T=0)处的电阻具有普适值RL=(2πh)/e2R_L=(2 \pi h)/e^2(每个自由度),并且发现该值与实验兼容。此外,我们研究了由强电子关联或无序驱动的二维金属-绝缘体转变是否也可以根据其量子临界电阻进行分类,并发现RLR_L可能有助于识别主要由相互作用驱动的转变。

关键词

引用

@article{arxiv.2501.17616,
  title  = {Universal transport at Lifshitz metal-insulator transitions in two dimensions},
  author = {Harry Tomlins and Jan M. Tomczak},
  journal= {arXiv preprint arXiv:2501.17616},
  year   = {2025}
}

备注

7 pages plus Supplementary Information