Si-MOSFET 中 B=0 二维金-绝缘相变的尺度限制
凝聚态物理
2007-05-23 v1
摘要
我们重新审查了关于 Si-MOSFET 处于 B=0 处可能的二维金-绝缘相变的数据，采用非线性回归方法在单个拟合中提取所有尺度参数。通过跟踪数据误差的大小，我们可以将拟合的归一化均方偏差 用作数据与尺度兼容性的定量度量。我们使用该方法研究了三个不同样本中的电场尺度。我们发现单个拟合中数据与尺度的吻合相当好，即 约为 1，但也存在拟合结果之间相当大的差异，这取决于在数据中引入切除方法的不同。在 particular，我们报告了在切除远离临界点或在低激发功率处的数据时拟合参数如何变化，因为这些情况下可能主导温度效应。在这种方式下，我们发现临界 E 场指数 变化范围大约从 3.2 到 3.9，每个拟合中的统计误差估计要小得多。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0009366,
title = {Scaling Limits for the 2D Metal-Insulator Transition at B = 0 in Si-MOSFETs},
author = {D. Lilliehook and J. E. Furneaux},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0009366},
year = {2007}
}
备注
6 pages, 4 figures