单层 WS$_2$ 中接触诱导的半导体-金属转变
材料科学
2018-01-03 v1
摘要
低电阻欧姆接触是基于二维材料的电子器件面临的一项挑战。我们表明，二维半导体与金属接触之间原子级精确的结可以导致二维材料发生半导体-金属转变，这一发现为实现低电阻结指明了一种可能的方法。具体而言，单层 WS 在 Ag(111) 上外延生长时会发生半导体-金属转变，而在 Au(111) 上仍保持为直接带隙半导体。单层 WS 在 Ag(111) 上的金属性是通过芯能级光电子能谱的线形分析确立的。角分辨光电子能谱将金属态定位在 WS 布里渊区 Q 点附近。密度泛函理论计算表明，该金属态源于 Ag 体能带与 WS 在 Q 点附近的局部导带底之间的杂化。
引用
@article{arxiv.1708.02799,
title = {Contact-Induced Semiconductor-to-Metal Transition in Single-Layer WS$_2$},
author = {Maciej Dendzik and Albert Bruix and Matteo Michiardi and Arlette S. Ngankeu and Marco Bianchi and Jill A. Miwa and Bjørk Hammer and Philip Hofmann and Charlotte E. Sanders},
journal= {arXiv preprint arXiv:1708.02799},
year = {2018}
}
备注
Main text: 21 pages, 4 figures. Supplement: 7 pages, 4 figures, 1 table