通过插层实现准自由站立单层WS2
材料科学
2018-12-12 v1
摘要
大面积高质量的单层过渡金属硫族化合物可通过在单晶衬底上的外延生长合成。该方法的一个重要优势是单层与衬底之间的相互作用足够强，从而可强制层具有单一晶体取向。另一方面，同样的相互作用会导致杂化效应，致使单层本征性质退化。这一困境可通过在生长后插入原子或分子将单层与衬底表面解耦来潜在解决。本文展示，对于在 Ag(111) 上外延生长的单层 WS2，通过插层 Bi 原子确实可以实现此种解耦。该过程抑制了单层 WS2 与 Ag 衬底的相互作用，产生了令人联想到自由站立单层 WS2 的电子能带结构。
引用
@article{arxiv.1811.05748,
title = {Quasi-free-standing single-layer WS2 achieved by intercalation},
author = {Sanjoy K. Mahatha and Maciej Dendzik and Charlotte E. Sanders and Matteo Michiardi and Marco Bianchi and Jill A. Miwa and Philip Hofmann},
journal= {arXiv preprint arXiv:1811.05748},
year = {2018}
}