少层黑磷场效应晶体管中的欧姆接触工程
介观与纳米尺度物理
2021-01-06 v1 材料科学
摘要
在范德瓦耳斯材料上实现高质量的欧姆接触是一项挑战，因为在金属与范德瓦耳斯材料的界面处可能出现多种情况，从两材料间存在大能量势垒到接触下方层状材料的金属化均有可能。在黑磷（bP）中，另一挑战是其对氧和湿气的高度反应性，因为不受控的氧化会显著改变接触行为。在本研究中，我们使用三种最常用的金属作为接触——铬、钛和镍，考察了接触金属对 bP 的影响相对于不同薄片与不同样品间变异性的关系。利用传输长度法，通过对十个器件在室温与低温下的分析，镍被证明是 bP 欧姆接触的最佳金属，其提供了最低的接触电阻和不同器件间最小的分散性。此外，我们研究了这些器件电流-电压特性的栅压依赖性。在积累区，我们观察到了所研究所有金属的良好线性。
引用
@article{arxiv.1905.05649,
title = {Ohmic contact engineering in few-layer black Phosphorus field effect transistors},
author = {Francesca Telesio and Gwenael le Gal and Manuel Serrano-Ruiz and Federico Prescimone and Stefano Toffanin and Maurizio Peruzzini and Stefan Heun},
journal= {arXiv preprint arXiv:1905.05649},
year = {2021}
}
备注
30 pages, 4 figures