双栅极超薄黑磷场效应晶体管中的电可调能量带隙
介观与纳米尺度物理
2017-04-26 v1
摘要
能量带隙是半导体的内禀特性，在很大程度上决定了它们的性质。在实时操作中连续且可逆地调控单个器件的带隙，不仅对器件物理，而且对技术应用都具有重要意义。在此，我们通过在双栅极黑磷场效应晶体管中施加垂直电场，展示了少层黑磷 (BP) 的宽范围可调带隙。当电位移场从 0.10 V/nm 增加到 0.83 V/nm 时，观察到总计 124 meV 的带隙减小。我们的结果表明，少层 BP 作为可调带隙材料在红外光电子学、热电发电和热成像中具有诱人的潜力。
引用
@article{arxiv.1703.08303,
title = {Electrically Tunable Energy Bandgap in Dual-Gated Ultra-Thin Black Phosphorus Field Effect Transistors},
author = {Shi-Li Yan and Zhi-Jian Xie and Jian-Hao Chen and Takashi Taniguchi and Kenji Watanabe},
journal= {arXiv preprint arXiv:1703.08303},
year = {2017}
}
备注
5 pages, 4 figures