石墨烯中 GHz 频率下的接触栅控
介观与纳米尺度物理
2018-05-01 v1
摘要
石墨烯晶体管的范式基于通过局部沟道栅对沟道载流子密度进行栅极调制。这种标准架构受到沟道长度的尺寸缩放限制，并且由于接触电阻和接入电阻阻碍器件性能而受到进一步限制。我们提出了一种新颖的设计，通过在接触区域下方实现额外的局部栅极来克服这些问题，从而允许对发生在接触边缘的 Klein 势垒进行完全控制。具体而言，我们的工作展示了由独立接触栅驱动的晶体管的 GHz 运行。我们对标准沟道栅控和新型接触栅控进行了基准测试，并报告了后者达到最先进水平的动态跨导。我们的发现可应用于电子学和光电子学中，只要存在独立控制电子源的费米能级和静电势的需求，或者需要摆脱繁琐的局部沟道栅。
引用
@article{arxiv.1804.10883,
title = {Contact gating at GHz frequency in graphene},
author = {Q. Wilmart and A. Inhofer and M. Boukhicha and W. Yang and M. Rosticher and P. Morfin and N. Garroum and G. Fève and J. -M. Berroir and B. Plaçais},
journal= {arXiv preprint arXiv:1804.10883},
year = {2018}
}