多层石墨烯在载流子密度依赖中呈现本征电阻峰
介观与纳米尺度物理
2018-09-28 v1
摘要
自石墨烯问世以来，人们开展了大量研究以阐明其基础物理或探索其实际应用。栅极可调电阻是石墨烯最重要的性质之一，已在1–3层石墨烯中被多次研究，以调控带隙从而获得大的开关比。另一方面，三层以上多层石墨烯的输运性质理解较少。在此我们展示多层石墨烯的新特性。我们发现四层石墨烯在零磁场下其电阻的栅极电压依赖中呈现本征峰结构。磁场中的量子振荡测量确认这些峰源自石墨烯特定的能带结构，并出现在导带与价带底所对应的载流子密度处。该本征峰结构应在AB堆垛多层石墨烯中普遍可观测。本结果对理解石墨烯物理及制备石墨烯FET器件具有重要意义。
引用
@article{arxiv.1809.10311,
title = {Multilayer graphene shows intrinsic resistance peaks in the carrier density dependence},
author = {Taiki Hirahara and Ryoya Ebisuoka and Takushi Oka and Tomoaki Nakasuga and Shingo Tajima and Kenji Watanabe and Takashi Taniguchi and Ryuta Yagi},
journal= {arXiv preprint arXiv:1809.10311},
year = {2018}
}