双层石墨烯中电阻率的普适标度
材料科学
2015-06-12 v1 介观与纳米尺度物理
摘要
我们报道了门控双层石墨烯器件的随温度变化的电输运性质。我们观察到了由电子 - 空穴电荷池引起的绝缘行为的明确证据。随着温度降低，电阻率增加而迁移率减小，这是石墨烯中载流子不均匀性的特征。使用单电子隧穿经验公式进行的理论拟合表明，电阻率遵循带有标度参数的普适曲线。该标度参数被确定为电子 - 空穴池分布涨落的度量。
引用
@article{arxiv.1211.3807,
title = {Universal scaling of resistivity in bilayer graphene},
author = {Kalon Gopinadhan and Young Jun Shin and Hyunsoo Yang},
journal= {arXiv preprint arXiv:1211.3807},
year = {2015}
}