石墨烯中电荷坑形成的机制
介观与纳米尺度物理
2011-12-07 v1 材料科学
摘要
当石墨烯接近电荷中性时,其能量景观高度不均匀,形成一片由电子型和空穴型电荷坑组成的海洋,这决定了石墨烯在低载流子密度下的性质。然而,电荷坑形成的细节一直难以捉摸。我们通过数值模拟证明,与单层石墨烯形成鲜明对比的是,双层石墨烯中电荷坑景观的归一化自相关函数仅取决于石墨烯与长程杂质势源之间的距离。通过与现有实验数据进行比较,我们发现了定量证据,表明在名义上相同的无序势下,单层和双层石墨烯的电子和空穴电荷坑在扫描隧道显微镜测量中存在隐含的差异。
引用
@article{arxiv.1112.1070,
title = {Mechanism for puddle formation in graphene},
author = {Shaffique Adam and Suyong Jung and Nikolai N. Klimov and Nikolai B. Zhitenev and Joseph A. Stroscio and M. D. Stiles},
journal= {arXiv preprint arXiv:1112.1070},
year = {2011}
}
备注
7 pages, 6 figures