半导体栅极石墨烯结构中电子 - 空穴对称性的破缺
介观与纳米尺度物理
2013-01-08 v1 材料科学
摘要
在“石墨烯 - 绝缘衬底 - 半导体栅极”结构中，由于半导体栅极在正偏压或负偏压下电势的不对称降落，电子 - 空穴对称性被破坏。针对置于低掺杂（中等掺杂）p 型硅上的 SiO_2 衬底情况，计算了浓度和电导率的栅压依赖关系。针对高介电常数衬底（AlN、Al_2O_3、HfO_2 和 ZrO_2）的情况，分析了光导率的类似依赖关系。将我们的结果与实验数据进行比较，显示两种情况均吻合良好。
引用
@article{arxiv.1301.0966,
title = {Breakdown electron-hole symmetry in graphene structure with a semiconductor gate},
author = {F. T. Vasko},
journal= {arXiv preprint arXiv:1301.0966},
year = {2013}
}
备注
4 pages, 6 figures