单层石墨烯中自旋注入和输运的电子-空穴不对称性
介观与纳米尺度物理
2010-01-20 v1 材料科学
摘要
通过室温下的非局域自旋阀测量，研究了单层石墨烯的自旋相关性质。栅压依赖性表明，非局域磁电阻与单层石墨烯的电导率成正比，这是透明铁磁/非磁性接触的预期行为。尽管单层石墨烯中的电子和空穴能带是对称的，但非局域磁电阻的栅压和偏压依赖性揭示了电子-空穴不对称性：对于电子，非局域磁电阻大致与偏压无关，而对于空穴，则随偏压显著变化。
引用
@article{arxiv.0903.1130,
title = {Electron-Hole Asymmetry of Spin Injection and Transport in Single-Layer Graphene},
author = {Wei Han and W. H. Wang and K. Pi and K. M. McCreary and W. Bao and Yan Li and F. Miao and C. N. Lau and R. K. Kawakami},
journal= {arXiv preprint arXiv:0903.1130},
year = {2010}
}
备注
To appear in PRL