隧穿自旋注入单层石墨烯（补充信息）
介观与纳米尺度物理
2010-11-17 v1 材料科学
摘要
我们利用 TiO2 籽晶 MgO 势垒实现了从 Co 到单层石墨烯 (SLG) 的隧穿自旋注入。在室温下观测到 130 Ω 的非局域磁电阻 ({\Delta}RNL)，这是在任何材料中观测到的最大值。研究从透明接触区到隧穿接触区 {\Delta}RNL 与 SLG 电导率的关系，展示了自旋输运漂移-扩散理论所预测的对比行为。此外，隧穿势垒减少了接触诱导的自旋弛豫，因此对于未来研究石墨烯中的自旋弛豫具有重要意义。
引用
@article{arxiv.1008.3209,
title = {Tunneling Spin Injection into Single Layer Graphene (Supplementary Information)},
author = {Wei Han and K. Pi and K. M. McCreary and Yan Li and Jared J. I. Wong and A. G. Swartz and R. K. Kawakami},
journal= {arXiv preprint arXiv:1008.3209},
year = {2010}
}
备注
5 pages, 2 figures. To appear in Physics Review Letters