单层石墨烯中动态产生的纯自旋流
介观与纳米尺度物理
2015-06-12 v1 材料科学
摘要
电导失配问题严重限制了自旋注入效率，而向石墨烯中注入自旋通常需要高质量的隧道势垒来规避电导失配。我们引入了一种新方法，通过动态自旋注入，能够在单层石墨烯（SLG）中产生不受电导失配影响的纯自旋流。成功实现了室温下SLG中自旋泵浦诱导的自旋电流产生和自旋输运的实验演示，并利用基于Landau-Lifshitz-Gilbert方程的传统理论模型估算出自旋相干长度为1.36微米。自旋相干长度与SLG的质量成正比，这表明SLG中的自旋弛豫由Elliot-Yafet机制主导，正如已有报道。
引用
@article{arxiv.1211.0124,
title = {Dynamically-generated pure spin current in single-layer graphene},
author = {Zhenyao Tang1 and Eiji Shikoh1 and Hiroki Ago2 and Kenji Kawahara2 and Yuichiro Ando1 and Teruya Shinjo1 and Masashi Shiraishi1},
journal= {arXiv preprint arXiv:1211.0124},
year = {2015}
}
备注
20pages, 4figures, Supplemental Materials