单层单硫族化物的纯自旋流注入
介观与纳米尺度物理
2020-12-09 v1
摘要
我们计算了铁电单层 SnS、SnSe、GeS 和 GeSe 中纯自旋流注入的谱。该形式体系考虑了被自旋轨道耦合在能量上分裂的光激发导带态的相干自旋动力学。利用密度泛函理论在完整电子能带结构框架下，将自旋速度计算为入射光子能量与线偏振光角度的函数。我们发现 SnS、SnSe、GeS 和 GeSe 的峰值速度分别为 250、210、180 和 154 km/s，比体半导体（如 CdSe 和 GaAs）中的大一个数量级。有趣的是，在一定的光子能量范围内，自旋速度与光的偏振方向无关。我们的结果表明，单层 SnS、SnSe、GeS 和 GeSe 是有望用于自旋电子学应用中按需产生自旋速度注入的候选材料。
引用
@article{arxiv.2012.04604,
title = {Pure spin current injection of single-layer monochalcogenides},
author = {Bernardo S. Mendoza and Lucila Juarez-Reyes and Benjamin M. Fregoso},
journal= {arXiv preprint arXiv:2012.04604},
year = {2020}
}
备注
8 pages, 7 figures