铁电 IV 族单硫族化物单层中的注入电流

我们研究了铁电单层 GeS、GeSe、SnS 和 SnSe 中的注入电流响应张量（亦称圆光电效应或弹道电流）。我们发现注入电流垂直于自发的面内极化，并在可见光谱中达到量级为 $10^{10}$A/V$^{2}$s 的峰值（体）值。该注入电流大小是迄今文献报道的二维材料中最大的。为解释该大注入电流，我们将注入电流谱与联合态密度、电极化、应变等关联。我们发现各向异性、面内极化和波函数离域等多种因素对这些材料中的注入电流张量至关重要。我们还发现沿极化轴的压缩可增大注入电流（或改变其符号），因此应变可作为其非线性光学响应的有效调控旋钮。反之，注入电流可作为晶体结构的灵敏探针。