急动光电流的太赫兹辐射
材料科学
2020-11-11 v2 光学
摘要
我们计算了GaAs、Si以及铁电单层GeS、GeSe、SnS和SnSe的急动电流张量。我们发现GaAs和Si在可见能谱内的峰值约为 mA/Vs，而单层GeS、GeSe、SnSe和SnS中大一数量级。我们表明，对该张量的详细了解及其在单层GeS、GeSe、SnSe和SnS中的大值，使得预测光电导开关中产生的强太赫兹脉冲的偏振大小和旋转角成为可能，并指向这些器件的替代功能。
引用
@article{arxiv.2003.00558,
title = {Terahertz radiation of jerk photocurrent},
author = {Bernardo S. Mendoza and Benjamin M. Fregoso},
journal= {arXiv preprint arXiv:2003.00558},
year = {2020}
}
备注
9 pages, 8 figures, typos fixed, few errors corrected, conclusions unchanged, published version