碳化硅的太赫兹辐射发射

Jared H. Strait; Paul A. George; Jahan Dawlaty; Shriram Shivaraman; Mvs Chandrashekhar; Farhan Rana; Michael G. Spencer

doi:10.1063/1.3194152

碳化硅的太赫兹辐射发射

材料科学 2015-05-13 v2 其他凝聚态物理

作者: Jared H. Strait , Paul A. George , Jahan Dawlaty , Shriram Shivaraman , Mvs Chandrashekhar , Farhan Rana , Michael G. Spencer

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摘要

我们报道了用光脉冲激发6H-碳化硅（SiC）时发射出强相干宽带太赫兹辐射。测得的太赫兹光谱信噪比优于一千。我们确定太赫兹辐射是通过二阶光学非线性（光学整流）产生的。我们给出了非线性磁化率张量元素比值 $\chi_{zzz}^{(2)}/\chi_{zxx}^{(2)}$ 以及碳化硅在太赫兹频率下的复折射率的测量结果。

关键词

太赫兹辐射碳化硅光学整流非线性光学二阶非线性宽带发射

引用

@article{arxiv.0809.0756,
  title  = {Emission of Terahertz Radiation from SiC},
  author = {Jared H. Strait and Paul A. George and Jahan Dawlaty and Shriram Shivaraman and Mvs Chandrashekhar and Farhan Rana and Michael G. Spencer},
  journal= {arXiv preprint arXiv:0809.0756},
  year   = {2015}
}

备注

4 pages, 5 figures

碳化硅的太赫兹辐射发射

摘要

关键词

引用

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