碳化硅纳米结构对太赫兹辐射的探测
应用物理
2023-09-11 v1 介观与纳米尺度物理
摘要
研究了通过硅原子置换方法制备的碳化硅纳米结构对外部太赫兹（THz）辐射的响应。在室温下，通过变化霍尔几何器件结构中的漏源电流，记录了纵向电压的动力学依赖关系。在基于量子法拉第效应提出的模型框架内，入射辐射导致边缘通道中出现生成电流，并伴随磁通量子数的变化，以及在纵向电压动力学依赖关系中出现特征。通过电探测电子顺磁共振（EDEPR）测量纵向电压随磁场值的变化，也揭示了碳化硅纳米结构内部太赫兹辐射的生成。
引用
@article{arxiv.2309.04440,
title = {Registration of terahertz irradiation with silicon carbide nanostructures},
author = {N. T. Bagraev and S. A. Kukushkin and A. V. Osipov and L. E. Klyachkin and A. M. Malyarenko and V. S. Khromov},
journal= {arXiv preprint arXiv:2309.04440},
year = {2023}
}
备注
11 pages, 6 figures