碳化硅纳米结构的太赫兹发射
介观与纳米尺度物理
2023-09-11 v1
摘要
首次在中远红外范围探测到硅上碳化硅纳米结构（于霍尔几何框架下获得）的电致发光。硅上碳化硅通过硅原子置换法生长。纳米结构边缘通道的电致发光由纵向漏-源电流诱发。所得太赫兹频段（3.4、0.12 THz）电致发光谱因量子法拉第效应而产生。在所提模型框架内，纵向电流引致边缘通道中磁通量子数改变，从而造成边缘通道中出现产生电流，并相应地产生太赫兹辐射。
引用
@article{arxiv.2309.03927,
title = {Terahertz emission from silicon carbide nanostructures},
author = {N. T. Bagraev and S. A. Kukushkin and A. V. Osipov and L. E. Klyachkin and A. M. Malyarenko and V. S. Khromov},
journal= {arXiv preprint arXiv:2309.03927},
year = {2023}
}
备注
10 pages, 9 figures