n 型 Ge/SiGe 量子级联结构的太赫兹子带电致发光
光学
2024-10-28 v1 应用物理
摘要
我们报道了 n 型 Ge/SiGe 量子级联结构中源于 L 谷跃迁的电致发光，中心频率分别为 3.4 和 4.9 THz，线宽 。我们研究了三种通过超高真空化学气相沉积在 Si 衬底上生长的抗应变补偿异质结构。其设计基于采用垂直光学跃迁的单量子阱有源区，观察到的光谱特征可由非平衡格林函数计算很好地描述。两个峰的存在表明辐射跃迁上能态的注入不够优化。将电致发光光谱与类似的 GaAs/AlGaAs 结构比较，得出发射效率低一个数量级。
引用
@article{arxiv.2101.05518,
title = {THz intersubband electroluminescence from n-type Ge/SiGe quantum cascade structures},
author = {David Stark and Muhammad Mirza and Luca Persichetti and Michele Montanari and Sergej Markmann and Mattias Beck and Thomas Grange and Stefan Birner and Michele Virgilio and Chiara Ciano and Michele Ortolani and Cedric Corley and Giovanni Capellini and Luciana Di Gaspare and Monica De Seta and Douglas J. Paul and Jérôme Faist and Giacomo Scalari},
journal= {arXiv preprint arXiv:2101.05518},
year = {2024}
}