InAs/AlInAs 量子点柱在室温下的横电偏振子带间电致发光
光学
2015-06-11 v1 介观与纳米尺度物理
摘要
我们报道了在室温下观察到来自 InAs/AlInAs 量子点柱量子级联结构的横电偏振电致发光。该发射归因于沿量子点柱最短横向维度受限的电场，这一点已通过其在专用样品吸收测量及电致发光本身中对晶体学取向的依赖性得到证实。根据吸收数据，我们估算出观测跃迁的偶极矩为 <x>=1.7 nm。电致发光峰值位于约 110 meV 处，并随施加偏压的增加而增强。其温度依赖性显示在高温下因光学声子发射受限而下降。
引用
@article{arxiv.1209.0139,
title = {Room-temperature transverse-electric polarized intersubband electroluminescence from InAs/AlInAs quantum dashes},
author = {V. Liverini and L. Nevou and F. Castellano and A. Bismuto and M. Beck and Fabian Gramm and J. Faist},
journal= {arXiv preprint arXiv:1209.0139},
year = {2015}
}
备注
15 pages, 4 figures, submitted to Applied Physics Letters