(111) n型Si/SiGe量子级联激光器的理论与设计
介观与纳米尺度物理
2011-04-12 v1
摘要
尽管实现第四族量子级联激光器(QCL)的大部分工作集中于价带跃迁，但导带具有许多理想特性。我们证明，通过转向(111)生长方向可以克服n型Si/SiGe异质结构常见的缺点。具体而言，可实现大的带偏移和低有效质量，且子带简并性得以保持。我们预测，在具有双金属波导的束缚到连续态QCL中，净增益可达晶格温度90 K，并表明界面处至少8埃的Ge互扩散长度是可容忍的。
引用
@article{arxiv.0908.0557,
title = {Theory and design of quantum cascade lasers in (111) n-type Si/SiGe},
author = {A. Valavanis and L. Lever and C. A. Evans and Z. Ikonić and R. W. Kelsall},
journal= {arXiv preprint arXiv:0908.0557},
year = {2011}
}
备注
7 pages, 6 figures