在 200 毫米 CMOS 中试线上批量制造量子级联激光器
应用物理
2019-10-22 v2
摘要
量子级联激光器的制造成本仍然是该技术应用于化学传感的主要瓶颈。基于 CMOS 技术在硅衬底上集成中红外光源为大批量、低成本制造铺平了道路。此外，使用硅基制造平台为量子级联激光器中红外光源与锗硅波导的协同集成开辟了道路，从而允许在平面衬底上实现完全集成的光学传感器。本文报告了在我们 200 毫米 CMOS 中试线上完全实现的、采用顶部金属光栅方法且工作波长为 7.4 微米的分布反馈量子级联激光器光源的制造和表征。这些量子级联激光器具有 2.5 kA/cm² 的阈值电流密度和 0.16 cm⁻¹ 的线宽，且制造良率高。这种方法为在硅芯片级别实现中红外光谱仪铺平了道路。
引用
@article{arxiv.1910.07821,
title = {Volume Fabrication of Quantum Cascade Lasers on 200 mm-CMOS pilot line},
author = {JG Coutard and M Brun and M Fournier and O Lartigue and F Fedeli and G Maisons and JM Fedeli and S Nicoletti and M Carras and L Duraffourg},
journal= {arXiv preprint arXiv:1910.07821},
year = {2019}
}
备注
12 pages, 4 figures